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2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。
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2022年12月15日 今年11月，上机数控在官微表示，公司在碳化硅切割领域取得了较大突破，自行研发的碳化硅切片设备获得成功，开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。截至 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_2022年12月15日 今年11月，上机数控在官微表示，公司在碳化硅切割领域取得了较大突破，自行研发的碳化硅切片设备获得成功，开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。截至
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1 天前 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题， 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - 艾邦半导体网1 天前 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，
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2023年9月27日 SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...2023年9月27日 SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表
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2023年2月1日 半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，包括HEMT等 氮化镓射频器件，主要用 2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 - East Money ...2023年2月1日 半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，包括HEMT等 氮化镓射频器件，主要用
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2022年5月11日 【原创】 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37929人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [ 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...2022年5月11日 【原创】 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37929人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [
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2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。 目前已发 【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路”----中国 ...2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。 目前已发
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2021年7月21日 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还拥有很多用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...2021年7月21日 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还拥有很多用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体
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6 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面. 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网6 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面.
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2023年2月15日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程专辑 EE ...2023年2月15日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应
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2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ... 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
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1 天前 4月 23, 2024. 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。. 来源：南京大学官网. SiC不仅是关系国防安全的的重要 ... 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - 艾邦半导体网1 天前 4月 23, 2024. 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。. 来源：南京大学官网. SiC不仅是关系国防安全的的重要 ...
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2023年12月8日 在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。. 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。. 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行 衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备_2023年12月8日 在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。. 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。. 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行
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2024年6月6日 某大型机械设备公司CVD碳化硅工艺工程师招聘，薪资：40-70K，地点：北京，要求：3-5年，学历：硕士，福利：五险一金、定期体检、加班补助、带薪年假、员工旅游、餐补、节日福利、零食下午茶、团建聚餐、包吃，猎头顾问刚刚在线，随时随地直接开聊。 「CVD碳化硅工艺工程师招聘」_某大型机械设备公司招聘 ...2024年6月6日 某大型机械设备公司CVD碳化硅工艺工程师招聘，薪资：40-70K，地点：北京，要求：3-5年，学历：硕士，福利：五险一金、定期体检、加班补助、带薪年假、员工旅游、餐补、节日福利、零食下午茶、团建聚餐、包吃，猎头顾问刚刚在线，随时随地直接开聊。
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2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。 碳化硅器件制造工艺流程2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
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2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。目前，3D打 复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展_烧结2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。目前，3D打
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2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。. 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速-研究 ...2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。. 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其
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2024年2月26日 碳化硅籽晶粘接技术是一种利用碳化硅 particles 在高温下熔融对SiC进行粘接的技术。. 1、在加热设备中，将SiC的粘接部件置于籽晶粘接剂的上方，籽晶粘接剂处于高温状态下。. 2、碳化硅 particles 被逐渐加入籽晶粘接剂的上部，同时粘接部件被置于其中 超声喷涂——碳化硅籽晶粘接工艺 - 上海央米智能科技有限公司2024年2月26日 碳化硅籽晶粘接技术是一种利用碳化硅 particles 在高温下熔融对SiC进行粘接的技术。. 1、在加热设备中，将SiC的粘接部件置于籽晶粘接剂的上方，籽晶粘接剂处于高温状态下。. 2、碳化硅 particles 被逐渐加入籽晶粘接剂的上部，同时粘接部件被置于其中
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2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ... 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
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2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。 浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 - 百家号2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。
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碳化硅的制造工艺涉及多个步骤，并需要专门的设备。 制造碳化硅粉末是制造过程的第一步。可以通过多种方法进行，例如阿切森法，该方法涉及在电炉中加热硅砂和碳的混合物。硅和碳之间的反应产生碳化硅粉末。 一旦获得碳化硅粉末，可以进一步加工以产生 碳化硅的制造工艺与设备_百度文库碳化硅的制造工艺涉及多个步骤，并需要专门的设备。 制造碳化硅粉末是制造过程的第一步。可以通过多种方法进行，例如阿切森法，该方法涉及在电炉中加热硅砂和碳的混合物。硅和碳之间的反应产生碳化硅粉末。 一旦获得碳化硅粉末，可以进一步加工以产生
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2023年9月28日 爱发科拥有SiC功率器件综合量产解决方案，届时爱发科市场战略中心负责人王禹将在《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》主题演讲中分享 最新 解决方案及研究进展。. 王禹，爱发科市场战略中心负责人，超过10年以上的上市 公司 高管经验，主要负责 爱发科王禹:碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展-电子发烧友网2023年9月28日 爱发科拥有SiC功率器件综合量产解决方案，届时爱发科市场战略中心负责人王禹将在《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》主题演讲中分享 最新 解决方案及研究进展。. 王禹，爱发科市场战略中心负责人，超过10年以上的上市 公司 高管经验，主要负责
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Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 ... Candela 8520 - 光致发光和表面检测系统 - KLACandela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行 ...
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2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 - 电子工程专辑 EE ...2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。
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2023年12月22日 碳化硅长晶炉作为衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用。考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。 碳化硅产业核心设备2023年12月22日 碳化硅长晶炉作为衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用。考虑到与工艺的契合性，衬底厂商一般不轻易改变长晶炉的购买渠道，其他企业想要插入进来并不容易，不过如今碳化硅产业疯狂扩产或有新的机遇。
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