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作者：. 尹长霞. 摘要：. 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术作者：. 尹长霞. 摘要：. 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材
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采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(-1),反应时 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(-1),反应时
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2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ... 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...
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工业用碳化硅为人造碳化硅,SiC含量为95%~99.5%,常含少量的游离碳,以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC),六方晶系又因 超细碳化硅杂质含量工业用碳化硅为人造碳化硅,SiC含量为95%~99.5%,常含少量的游离碳,以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC),六方晶系又因
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【摘要】：某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D500.8μm,对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格,通过选矿和化学处理方法可使其杂质含量达到标准需求,超细磨前利 超细碳化硅杂质含量【摘要】：某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D500.8μm,对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格,通过选矿和化学处理方法可使其杂质含量达到标准需求,超细磨前利
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2016年12月15日 采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的反 硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉-《武汉工程大学学报》2016年12月15日 采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的反
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2013年3月14日 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为原 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网2013年3月14日 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为原
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2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。. 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。.
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2016年12月23日 近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。 固相法主要包括以下几种：碳热还原法、Si与C直接 超细碳化硅粉体的制备及应用简介_粉体资讯_粉体圈 ...2016年12月23日 近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。 固相法主要包括以下几种：碳热还原法、Si与C直接
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2016年6月9日 超细SiC粉体在制备过程中可能存在氧化生成的SiO2，为确定制备的超细粉体是否为纯的SiC，采用红外光谱测试其中是否含有其他物质. 图3为不同温度下生成碳化硅 文章2016年6月9日 超细SiC粉体在制备过程中可能存在氧化生成的SiO2，为确定制备的超细粉体是否为纯的SiC，采用红外光谱测试其中是否含有其他物质. 图3为不同温度下生成碳化硅
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纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。 超细碳化硅杂质含量纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。
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超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质 ... 超细碳化硅杂质含量超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质 ...
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3 天之前 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 ... 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社3 天之前 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 ...
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2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ... 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ...
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2024年2月28日 碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料，其合成有哪些因素影响？ 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。 碳化硅单晶生长第一步，要纯!-要闻-资讯-中国粉体网2024年2月28日 碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料，其合成有哪些因素影响？ 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。
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杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J] ... 超细碳化硅杂质含量超细碳化硅杂质含量超细碳化硅杂质含量 ...杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J] ...
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超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究反应烧结碳化硅材料可以作为密封件热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通陶瓷的原料杂质含量高粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致材料 超细碳化硅杂质含量 - betway彩票超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究反应烧结碳化硅材料可以作为密封件热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通陶瓷的原料杂质含量高粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致材料
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2013年3月14日 反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。. 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。. 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性 ... 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网2013年3月14日 反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。. 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。. 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性 ...
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2023年12月30日 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法.pdf 2023-12-30 上传 暂无简介 文档格式：.pdf 文档大小： 362.47K 文档页数： 7 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料 ... 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法 - 豆丁网2023年12月30日 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法.pdf 2023-12-30 上传 暂无简介 文档格式：.pdf 文档大小： 362.47K 文档页数： 7 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料 ...
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纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。 超细碳化硅杂质含量纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。
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2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热
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2021年12月4日 那半导体领域用的碳化硅价格是多少呢？. 据了解，用于单晶生长的碳化硅微粉价格为 2000～12000元/kg ，注意，其价格单位是 元每千克 。. 单晶生长用碳化硅为何有如此天价？. 据了解，生长单晶用 碳化硅粉 体的粒径约为300～500μm，粒度要求不是很高， 每公斤2000~12000 元？这种碳化硅堪称“万金之躯”！-要闻 ...2021年12月4日 那半导体领域用的碳化硅价格是多少呢？. 据了解，用于单晶生长的碳化硅微粉价格为 2000～12000元/kg ，注意，其价格单位是 元每千克 。. 单晶生长用碳化硅为何有如此天价？. 据了解，生长单晶用 碳化硅粉 体的粒径约为300～500μm，粒度要求不是很高，
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2023年11月23日 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。. 近年来，随着科研工作者对纳米粉体改性的深入研究，表面改性呈现多样化，概括地说来主要分为 「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展2023年11月23日 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。. 近年来，随着科研工作者对纳米粉体改性的深入研究，表面改性呈现多样化，概括地说来主要分为
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2020年3月24日 W.Z.Zhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC ... 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于0.5×10-6的SiC粉 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述2020年3月24日 W.Z.Zhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC ... 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于0.5×10-6的SiC粉
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特点：所制备的碳化硅产物高纯度、细分散； 相似方法：含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此 可合成出纳米级的β-SiC 超细粉。 （3）热分解法 使聚碳硅烷或三氯甲基硅烷等有机硅聚合物在1200℃一 1500℃的温度范围内发生分解反应, 由此可合成出亚微米级 的β-SiC粉 张波—碳化硅分解 - 百度文库特点：所制备的碳化硅产物高纯度、细分散； 相似方法：含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此 可合成出纳米级的β-SiC 超细粉。 （3）热分解法 使聚碳硅烷或三氯甲基硅烷等有机硅聚合物在1200℃一 1500℃的温度范围内发生分解反应, 由此可合成出亚微米级 的β-SiC粉
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2023年1月28日 从杂质方面分析，现国内市场碳酸钙含量大多≤99.9%，主要是杂质铁、镁、硅（含量300-1500PPm之间）以及重金属等。. 某企业高纯超细碳酸钙分类. 3电子陶瓷用高纯碳酸钙加工工艺. （1）以碳化法. 煅烧 石灰石 得到氧化钙和窑气→氧化钙消化并经分离除 99.9%！电子陶瓷级高纯超细碳酸钙生产工艺！ - 中国粉体网2023年1月28日 从杂质方面分析，现国内市场碳酸钙含量大多≤99.9%，主要是杂质铁、镁、硅（含量300-1500PPm之间）以及重金属等。. 某企业高纯超细碳酸钙分类. 3电子陶瓷用高纯碳酸钙加工工艺. （1）以碳化法. 煅烧 石灰石 得到氧化钙和窑气→氧化钙消化并经分离除
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2016年11月26日 61《现代仪器》011年第6期第17卷总97期分析测试摘 要 本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd1种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移，用碰撞反应技术消除多原子离子干扰，通过实验确定最佳优化测定 ... ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 道 ...2016年11月26日 61《现代仪器》011年第6期第17卷总97期分析测试摘 要 本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd1种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移，用碰撞反应技术消除多原子离子干扰，通过实验确定最佳优化测定 ...
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摘要：. 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响.结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是 ... 球磨法制备超细碳化硅粉体 - 百度学术摘要：. 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响.结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是 ...
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高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅 按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。 2、碳化硅粉末的合成方法 ... 采用化学共沉淀法制备了羟基磷灰石和二氧化锆超细粉，并以此为原料，通过不同材料的优化组合，用烧结法制备了HA-ZrO2 ... 碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺_百度文库高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅 按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。 2、碳化硅粉末的合成方法 ... 采用化学共沉淀法制备了羟基磷灰石和二氧化锆超细粉，并以此为原料，通过不同材料的优化组合，用烧结法制备了HA-ZrO2 ...
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2020年6月25日 综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要不断完善。. 关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展. Abstract: The main preparation processes of high-purity SiC micropowder were ... 高纯SiC微粉制备进展2020年6月25日 综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要不断完善。. 关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展. Abstract: The main preparation processes of high-purity SiC micropowder were ...
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