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2016年9月22日 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料的塑形和韧性的途径与机理中，尖锐化的碳化硅粉体颗粒导致陶瓷材料内的应变集中和颗粒尖端断裂的可能性加剧，钝化后的球形碳化硅颗粒对陶瓷基复合材料的高温力学性能有很大的提高。 浅谈碳化硅粉体整形工艺 _粉体资讯_粉体圈 - 360powder2016年9月22日 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料的塑形和韧性的途径与机理中，尖锐化的碳化硅粉体颗粒导致陶瓷材料内的应变集中和颗粒尖端断裂的可能性加剧，钝化后的球形碳化硅颗粒对陶瓷基复合材料的高温力学性能有很大的提高。
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2012年4月27日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密度，确定各整 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网2012年4月27日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密度，确定各整
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随着粉体工 程的日益增长和不断进步，碳化硅粉体的形状根据各种陶瓷材料的应用进 行了细致划分，得到特定的形貌。 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料 的塑形和韧性的途径 【精品文章】浅谈碳化硅粉体整形工艺_百度文库随着粉体工 程的日益增长和不断进步，碳化硅粉体的形状根据各种陶瓷材料的应用进 行了细致划分，得到特定的形貌。 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料 的塑形和韧性的途径
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2020-11-13 [导读] 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的 碳化硅粉料整形的目的,2020-11-13 [导读] 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的
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【摘 要】采用机械球磨法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究.分析了三种不同粒径碳化硅粉体在不同球磨时间下,碳化硅粉体的形貌、圆度、粒径大小及分布的变化,并进一步对 碳化硅粉的球磨整形研究 - 百度文库【摘 要】采用机械球磨法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究.分析了三种不同粒径碳化硅粉体在不同球磨时间下,碳化硅粉体的形貌、圆度、粒径大小及分布的变化,并进一步对
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1.1 碳化硅粉末的制备方法. 碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。. 碳化硅的具体生产工艺包括. 加工和粉碎： 碳化硅粉末的生产和应用1.1 碳化硅粉末的制备方法. 碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。. 碳化硅的具体生产工艺包括. 加工和粉碎：
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2020年11月13日 辛总告诉记者，目前碳化硅微粉主要是通过气流、湿法整形。 对于所涉及的设备，主要有 砂磨机 、 气流粉碎机 。 但由于SiC属于共价键化合物，当Si原子与C原 国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华 ...2020年11月13日 辛总告诉记者，目前碳化硅微粉主要是通过气流、湿法整形。 对于所涉及的设备，主要有 砂磨机 、 气流粉碎机 。 但由于SiC属于共价键化合物，当Si原子与C原
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2020年3月31日 碳化硅是以共介健为主的共价化合物，由于碳与硅两元素在形成SiC晶体时，SiC原子中S→P电子的迁移导致能量稳定的SP3杂化排列，从而形成具有金刚石结构的SiC。 什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用 - Silicon 2020年3月31日 碳化硅是以共介健为主的共价化合物，由于碳与硅两元素在形成SiC晶体时，SiC原子中S→P电子的迁移导致能量稳定的SP3杂化排列，从而形成具有金刚石结构的SiC。
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2020年8月21日 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。. 第一种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学2020年8月21日 SiC粉体的合成方法多种多样，总体来说，大致可以分为三种方法。. 第一种方法是固相法，其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;第二种方法是液相法，其中具有代表性的方法主
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2018年4月8日 碳化硅粉料整形的目的靠单台鄂式破碎机设备完成以往多台甚至多条水泥生产线才能完成的生产量，更进一步缩小了成本，缩小了占地面积，缩小了能耗。 碳化硅粉料整形的目的2018年4月8日 碳化硅粉料整形的目的靠单台鄂式破碎机设备完成以往多台甚至多条水泥生产线才能完成的生产量，更进一步缩小了成本，缩小了占地面积，缩小了能耗。
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2024年3月11日 绍兴晶彩科技有限公司作为国内首家可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营 第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡; 半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉体;5G 领域专用的热管理材料导热填料。 绍兴晶彩科技有限公司-高纯碳化硅粉体、半导体材料制造商2024年3月11日 绍兴晶彩科技有限公司作为国内首家可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营 第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡; 半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉体;5G 领域专用的热管理材料导热填料。
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2018年12月7日 因此粒径可控的大粒径SiC粉料的制备对于碳化硅晶体的生长非常重要。. 将上述坩埚放入加热炉中 ，抽真空到炉内部压力小于10-3Pa后 ，充入压力为1×104Pa 到9×104Pa范围内的惰性气体； 再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力为1×104Pa到 ... 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法[发明专利 ...2018年12月7日 因此粒径可控的大粒径SiC粉料的制备对于碳化硅晶体的生长非常重要。. 将上述坩埚放入加热炉中 ，抽真空到炉内部压力小于10-3Pa后 ，充入压力为1×104Pa 到9×104Pa范围内的惰性气体； 再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力为1×104Pa到 ...
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碳化硅粉料整形的目的 2022-08-19T06:08:49+00:00 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 豆丁网 对比整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅粉整形，轮碾机整形 ... 碳化硅粉料整形的目的碳化硅粉料整形的目的 2022-08-19T06:08:49+00:00 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 豆丁网 对比整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅粉整形，轮碾机整形 ...
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1.1 原材料 碳化硅粉来自山东金蒙新材料股份有限公司，产品纯度≥98.5%，选用了三种粒度的SiC粉来进行机械球磨整形研究，其D50分别为30.94、10.58、1.549μm (对应样品编号a、b和c，整形后对应编号为d、e和f)。. 1.2 碳化硅粉体的整形 本实验机械整形采用QM-800球釉 碳化硅粉的球磨整形研究 - 百度文库1.1 原材料 碳化硅粉来自山东金蒙新材料股份有限公司，产品纯度≥98.5%，选用了三种粒度的SiC粉来进行机械球磨整形研究，其D50分别为30.94、10.58、1.549μm (对应样品编号a、b和c，整形后对应编号为d、e和f)。. 1.2 碳化硅粉体的整形 本实验机械整形采用QM-800球釉
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2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯 碳化硅粉 料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺 ...2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯 碳化硅粉 料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合
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2018年12月8日 技术实现要素：. 本发明的目的是提供一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（sic）粉料的合成方法。. 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（sic）粉料的合成方法，包括以下步骤：. 采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料，采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料并混合均 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法与流程2018年12月8日 技术实现要素：. 本发明的目的是提供一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（sic）粉料的合成方法。. 一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（sic）粉料的合成方法，包括以下步骤：. 采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料，采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料并混合均
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2010年11月3日 武汉理工大学硕士学位论文碳化硅粉体的整形及其挤出成型姓名：****请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：**德20100401武汉理工大学硕士学位论文目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅（RBSC）、重结晶碳化硅（R－SiC）和氮化硅结合 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网2010年11月3日 武汉理工大学硕士学位论文碳化硅粉体的整形及其挤出成型姓名：****请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：**德20100401武汉理工大学硕士学位论文目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅（RBSC）、重结晶碳化硅（R－SiC）和氮化硅结合
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2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为 ... 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺 ...2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为 ...
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2015年2月4日 对比 整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。. 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅 粉整形，轮碾机整形法时间短、效率高；振捣整形机整形法整形对140／tm左右 的中粉整形效果明显，振捣整形机 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网2015年2月4日 对比 整形前后碳化硅粉对挤出成型坯体密度的影响，分析其产生的原因。. 实验结果发现，轮碾机整形法适合对粒径范围在100～1000＃m中粗碳化硅 粉整形，轮碾机整形法时间短、效率高；振捣整形机整形法整形对140／tm左右 的中粉整形效果明显，振捣整形机
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3 天之前 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社3 天之前 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成
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温度对碳化硅粉料合成的影响. 采用高温合成方法生成了高纯碳化硅 (SiC)粉.采用高纯碳 (C)粉和硅 (Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应.实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响.当 ... 温度对碳化硅粉料合成的影响 - 百度学术温度对碳化硅粉料合成的影响. 采用高温合成方法生成了高纯碳化硅 (SiC)粉.采用高纯碳 (C)粉和硅 (Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应.实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响.当 ...
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2010年11月4日 宁丽娜等：硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响宁丽娜，胡小波，王英民，王山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南50ioo翎，李娟，彭燕，高玉强，徐现刚摘度SiC粉料。实验发现，不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌 ... 硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响 - 道客巴巴2010年11月4日 宁丽娜等：硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响宁丽娜，胡小波，王英民，王山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南50ioo翎，李娟，彭燕，高玉强，徐现刚摘度SiC粉料。实验发现，不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌 ...
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2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。 国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华 ...2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。
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2023年6月28日 9.一种提高碳化硅粉料利用率的方法，其特征在于，所述方法利用权利要求1-7任一项所述隔离筒装料，所述方法包括如下步骤：. 10.根据权利要求9所述方法，其特征在于，所述的单晶生长温度为2100℃～2500℃，所述的保温时间为60～120h。. 技术总结. 本发 一种提高碳化硅粉料利用率的方法 - X技术网2023年6月28日 9.一种提高碳化硅粉料利用率的方法，其特征在于，所述方法利用权利要求1-7任一项所述隔离筒装料，所述方法包括如下步骤：. 10.根据权利要求9所述方法，其特征在于，所述的单晶生长温度为2100℃～2500℃，所述的保温时间为60～120h。. 技术总结. 本发
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2015年11月26日 武汉理工大学硕士学位论文碳化硅粉体的整形及其挤出成型姓名：****请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：**德20100401武汉理工大学硕士学位论文目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅（RBSC）、重结晶碳化硅（R－SiC）和氮化硅结合 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网2015年11月26日 武汉理工大学硕士学位论文碳化硅粉体的整形及其挤出成型姓名：****请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：**德20100401武汉理工大学硕士学位论文目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅（RBSC）、重结晶碳化硅（R－SiC）和氮化硅结合
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2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为 ... 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺 ...2020年11月30日 针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的评述与总结。. 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为 ...
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2020年7月29日 现了在500℃的高温下正常工作，基本满足了内燃机监控、汽车尾气 排放和航天器喷气发动机排气诊断等高温应用的要求。 （二）发展SiC产业的战略意义和必要性 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料， 碳化硅（SiC）产业研究报告2020年7月29日 现了在500℃的高温下正常工作，基本满足了内燃机监控、汽车尾气 排放和航天器喷气发动机排气诊断等高温应用的要求。 （二）发展SiC产业的战略意义和必要性 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，
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2024年1月17日 发明内容. 针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法，在本发明中，通过进料机构、称重机构、盛料机构、传动机构、升降机构和控制单元的组合设置，实现自动装料过程，并同时监控装料高度、装料重量和 ... 一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法【掌桥专利】2024年1月17日 发明内容. 针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法，在本发明中，通过进料机构、称重机构、盛料机构、传动机构、升降机构和控制单元的组合设置，实现自动装料过程，并同时监控装料高度、装料重量和 ...
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2020年7月10日 因此，本项目充分利用本地区位优势，采用先进的工艺，成熟的技粉，高效的生产，会带来很好的经济效益等，并由此可以得出这样1个结论术，兴建年产3000吨碳化硅微粉生产线项目，具有明显的社会效益和经济效益。. 二、工艺参数的计算原料来源：尺寸粒 年产3000吨碳化硅微粉的生产线的可行性研究报告——课程 ...2020年7月10日 因此，本项目充分利用本地区位优势，采用先进的工艺，成熟的技粉，高效的生产，会带来很好的经济效益等，并由此可以得出这样1个结论术，兴建年产3000吨碳化硅微粉生产线项目，具有明显的社会效益和经济效益。. 二、工艺参数的计算原料来源：尺寸粒
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2021年10月9日 一种碳化硅粉料的合成方法与流程. 1.本发明涉及碳化硅合成领域，特别涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。. 2.碳化硅 (sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件 一种碳化硅粉料的合成方法与流程 - X技术网2021年10月9日 一种碳化硅粉料的合成方法与流程. 1.本发明涉及碳化硅合成领域，特别涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。. 2.碳化硅 (sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件
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