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RuS2 1.38eV 0.39 1.77 Sm2S3 2.6eV-1.11 1.49 SnS2 2.1eV-0.06 2.04 TiS2 0.7eV 0.26 0.96 WS2 1.35eV 0.36 1.71 ZnS2 2.7eV-0.29 2.41 ZrS2 1.82eV-0.21 1.61 全半导体 ... 史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表_百度文库RuS2 1.38eV 0.39 1.77 Sm2S3 2.6eV-1.11 1.49 SnS2 2.1eV-0.06 2.04 TiS2 0.7eV 0.26 0.96 WS2 1.35eV 0.36 1.71 ZnS2 2.7eV-0.29 2.41 ZrS2 1.82eV-0.21 1.61 全半导体 ...
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2011年11月1日 各种氧化物的禁带宽度,,禁带宽度, 能级 频道 上传 书房 登录 注册 行业资料 > 实验 > 各种氧化物的禁带宽度.doc ... 语文三下3.3父亲的 菜园优质课市公开课一等奖课 各种氧化物的禁带宽度 - 豆丁网2011年11月1日 各种氧化物的禁带宽度,,禁带宽度, 能级 频道 上传 书房 登录 注册 行业资料 > 实验 > 各种氧化物的禁带宽度.doc ... 语文三下3.3父亲的 菜园优质课市公开课一等奖课
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各种氧化物的禁带宽度-纵坐标Hale Waihona Puke BaiduHOMO/LUMO 不对应 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 行业研究 高校与高等教育 ... 各种氧化物的禁带宽度_百度文库各种氧化物的禁带宽度-纵坐标Hale Waihona Puke BaiduHOMO/LUMO 不对应 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 行业研究 高校与高等教育 ...
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禁带 宽度 (Band gap)是指一个带隙宽度 (单位是 电子伏特 (ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为 导带 （能导电），自由空穴 禁带宽度_百度百科禁带 宽度 (Band gap)是指一个带隙宽度 (单位是 电子伏特 (ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为 导带 （能导电），自由空穴
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2024年1月2日 中文名:电熔氧化铬,英文名:Chromium (III) oxide,CAS:1308-38-9,化学式:Cr2O3,分子量:151.99,密度:5.21,熔点:2435 °C,沸点:4000 °C,闪点:3000°C,水溶 三氧化二铬(III)_化工百科 - ChemBK2024年1月2日 中文名:电熔氧化铬,英文名:Chromium (III) oxide,CAS:1308-38-9,化学式:Cr2O3,分子量:151.99,密度:5.21,熔点:2435 °C,沸点:4000 °C,闪点:3000°C,水溶
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摘要：. 宽禁带材料是一种新型的材料,最大的特点是禁带宽度 (Band gap)大,击穿电场 (Breakdown field)高,热导率 (Coefficient of thermal conductivity)高,非常适合于高频率,大功 宽禁带半导体氧化物的高温介电性能研究 - 百度学术摘要：. 宽禁带材料是一种新型的材料,最大的特点是禁带宽度 (Band gap)大,击穿电场 (Breakdown field)高,热导率 (Coefficient of thermal conductivity)高,非常适合于高频率,大功
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王其武. 摘要：. 文中归纳了氧化物禁带宽度与其电子结构、当量生成热和金属离子半径间的关系,闡明了当量生成热和金属离子半径这两个参数有明确的物理意义,与氧鍵能、金属性 氧化物的禁带宽度与催化活性(英文) - 百度学术王其武. 摘要：. 文中归纳了氧化物禁带宽度与其电子结构、当量生成热和金属离子半径间的关系,闡明了当量生成热和金属离子半径这两个参数有明确的物理意义,与氧鍵能、金属性
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2017年10月27日 三氧化铬，是一种无机化合物，化学式为CrO 3，为暗红色或暗紫色结晶性粉末，溶于水、硫酸、硝酸、乙醇、乙醚、乙酸、丙酮，主要用于电镀工业、医药工业、印刷工业、鞣革和织物媒染。 三氧化铬_百度百科2017年10月27日 三氧化铬，是一种无机化合物，化学式为CrO 3，为暗红色或暗紫色结晶性粉末，溶于水、硫酸、硝酸、乙醇、乙醚、乙酸、丙酮，主要用于电镀工业、医药工业、印刷工业、鞣革和织物媒染。
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三氧化二铈是一种无机化合物，分子式为Ce2O3。为白色固体，六方晶格晶形。属于离子型化合物，难溶于水、易溶于强酸，熔点高，通过二氧化铈还原得到，是良好的耐火材料。三氧化二铈可用在汽车的催化转化器中以降低尾气中一氧化碳和氮氧化物的含量。 三氧化二铈_百度百科三氧化二铈是一种无机化合物，分子式为Ce2O3。为白色固体，六方晶格晶形。属于离子型化合物，难溶于水、易溶于强酸，熔点高，通过二氧化铈还原得到，是良好的耐火材料。三氧化二铈可用在汽车的催化转化器中以降低尾气中一氧化碳和氮氧化物的含量。
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2020年12月11日 摘要: 纳米α相三氧化二铁（α-Fe 2 O 3 ）具有化学性质稳定、环境友好、制备成本低和窄禁带宽度的特性，是一种理想的可见光催化剂。 文章介绍了α-Fe 2 O 3 不同制备方法的研究进展，尤其总结了一些特殊结构的制备工艺。 着重分析了掺杂剂种类对α-Fe 2 O 3 的光催化降解有机污染物活性的影响和影响 ... 纳米 α- Fe 2 O 3 可见光催化剂的制备及掺杂改性研究进展 ...2020年12月11日 摘要: 纳米α相三氧化二铁（α-Fe 2 O 3 ）具有化学性质稳定、环境友好、制备成本低和窄禁带宽度的特性，是一种理想的可见光催化剂。 文章介绍了α-Fe 2 O 3 不同制备方法的研究进展，尤其总结了一些特殊结构的制备工艺。 着重分析了掺杂剂种类对α-Fe 2 O 3 的光催化降解有机污染物活性的影响和影响 ...
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2013年9月25日 2012-04-11 氧化铋（bi2o3）的 禁带宽度大概是多少？ 2010-06-13 二氧化钛的禁带宽度是多少 2007-04-26 SiO2的禁带宽度是多少？ 2017-08-27 禁带宽度为多少才能在可见光下激发 2012-03-26 金属的禁带宽度的数量级一般是多少？ 0.64*10（-8）电子 ... 氧化铝的禁带宽度是多少？_百度知道2013年9月25日 2012-04-11 氧化铋（bi2o3）的 禁带宽度大概是多少？ 2010-06-13 二氧化钛的禁带宽度是多少 2007-04-26 SiO2的禁带宽度是多少？ 2017-08-27 禁带宽度为多少才能在可见光下激发 2012-03-26 金属的禁带宽度的数量级一般是多少？ 0.64*10（-8）电子 ...
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史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表-FeO Fe3O4 FeTiO3 HgO Hg2Ta2O7 KNbO3 La2O3 LiNbO3 MgTiO3 MnO2 Nb2O5NiO PbO PdO Sb2O3 SnO SrTiO3 Tb2O3 Tl2O3 WO3 YFeO3 ZnTiO3 Ag2S AgSbS2 CdS 首页 文档 视频 音频 文集 史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表_百度文库史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表-FeO Fe3O4 FeTiO3 HgO Hg2Ta2O7 KNbO3 La2O3 LiNbO3 MgTiO3 MnO2 Nb2O5NiO PbO PdO Sb2O3 SnO SrTiO3 Tb2O3 Tl2O3 WO3 YFeO3 ZnTiO3 Ag2S AgSbS2 CdS 首页 文档 视频 音频 文集
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三氧化钼与二氧化钼的制备及其高压物性研究. 来自 掌桥科研. 喜欢 0. 阅读量：. 255. 作者：. 贺凇莹. 摘要：. 过渡金属氧化物是由过渡族金属元素与氧元素形成的氧化物.由于过渡金属元素外壳层d轨道电子分布不同,电子结构中存在多个容易失去的孤电子,从而 ... 三氧化钼与二氧化钼的制备及其高压物性研究 - 百度学术三氧化钼与二氧化钼的制备及其高压物性研究. 来自 掌桥科研. 喜欢 0. 阅读量：. 255. 作者：. 贺凇莹. 摘要：. 过渡金属氧化物是由过渡族金属元素与氧元素形成的氧化物.由于过渡金属元素外壳层d轨道电子分布不同,电子结构中存在多个容易失去的孤电子,从而 ...
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2017年10月27日 三氧化铬，是一种无机化合物，化学式为CrO3，为暗红色或暗紫色结晶性粉末，溶于水、硫酸、硝酸、乙醇、乙醚、乙酸、丙酮，主要用于电镀工业、医药工业、印刷工业、鞣革和织物媒染。2017年10月27日，世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单初步整理参考，铬（6价）化合物在1类致癌物 ... 三氧化铬_百度百科2017年10月27日 三氧化铬，是一种无机化合物，化学式为CrO3，为暗红色或暗紫色结晶性粉末，溶于水、硫酸、硝酸、乙醇、乙醚、乙酸、丙酮，主要用于电镀工业、医药工业、印刷工业、鞣革和织物媒染。2017年10月27日，世界卫生组织国际癌症研究机构公布的致癌物清单初步整理参考，铬（6价）化合物在1类致癌物 ...
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史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表. 半导体 Ag2O BaTiO3 CdO Ce2O3 CoTiO3 CuO CuTiO3 Fe2O3 FeOOH Ga2O3 Hg2Nb2O7 In2O3 KTaO3 LaTi2O7 LiTaO3 MnO MnTiO3 Nd2O3 NiTiO3 PbFe12O19 Pr2O3 Sm2O3 SnO2 Ta2O5 TiO2 V2O5 Yb2O3 ZnO ZrO2 AgAsS2 As2S3 Ce2S3 CoS2 CuS CuS2 CuFeS2 CuInS2 Dy2S3 FeS2 FeAsS HfS2 史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表_百度文库史上最全半导体—导带价带禁带宽度一览表. 半导体 Ag2O BaTiO3 CdO Ce2O3 CoTiO3 CuO CuTiO3 Fe2O3 FeOOH Ga2O3 Hg2Nb2O7 In2O3 KTaO3 LaTi2O7 LiTaO3 MnO MnTiO3 Nd2O3 NiTiO3 PbFe12O19 Pr2O3 Sm2O3 SnO2 Ta2O5 TiO2 V2O5 Yb2O3 ZnO ZrO2 AgAsS2 As2S3 Ce2S3 CoS2 CuS CuS2 CuFeS2 CuInS2 Dy2S3 FeS2 FeAsS HfS2
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2015年6月2日 氧化铈的价带，导带，禁带宽度是2.35，-0.23，2.58ev，不用谢师弟！ 天小小晴娃娃 A novel CeO2/Bi2WO6 composite with highly enhanced photocatalytic activity；Sudarat Issarapanacheewin, Khatcharin Wetchakun, Sukon Phanichphant, Wiyong Kangwansupamonkon, Natda Wetchakun; To appear in: Materials Letters 谁知道氧化铈的价带，导带，禁带宽度是多少？ - 小木虫论坛2015年6月2日 氧化铈的价带，导带，禁带宽度是2.35，-0.23，2.58ev，不用谢师弟！ 天小小晴娃娃 A novel CeO2/Bi2WO6 composite with highly enhanced photocatalytic activity；Sudarat Issarapanacheewin, Khatcharin Wetchakun, Sukon Phanichphant, Wiyong Kangwansupamonkon, Natda Wetchakun; To appear in: Materials Letters
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氧化铝禁带宽度-氧化铝禁带宽度氧化铝的禁带宽度是3.6-9.0电子伏特Hale Waihona Puke BaidueV ），具体取决于制备方法和晶体结构等因素。 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 行业研究 ... 氧化铝禁带宽度_百度文库氧化铝禁带宽度-氧化铝禁带宽度氧化铝的禁带宽度是3.6-9.0电子伏特Hale Waihona Puke BaidueV ），具体取决于制备方法和晶体结构等因素。 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 行业研究 ...
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2024年1月2日 三氧化二铬 (III) 性质. 浅至深绿色细小六方形结晶或粉末。. 有金属光泽。. 熔点约2435℃；沸点约3000℃I； d25 5.22。. 加热变为褐色，冷却后又为绿色。. 不溶于水、乙醇、丙酮，微溶于酸、碱及热的溴酸钾溶液。. 制法. 由重铬酸钾与硫黄或氯化铵混合，还原 三氧化二铬(III)_化工百科 - ChemBK2024年1月2日 三氧化二铬 (III) 性质. 浅至深绿色细小六方形结晶或粉末。. 有金属光泽。. 熔点约2435℃；沸点约3000℃I； d25 5.22。. 加热变为褐色，冷却后又为绿色。. 不溶于水、乙醇、丙酮，微溶于酸、碱及热的溴酸钾溶液。. 制法. 由重铬酸钾与硫黄或氯化铵混合，还原
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摘要： In2O3作为优秀的半导体材料在光催化领域,例如在光催化水产氢,产氧反应中具有良好的应用.但是由于In203较大的禁带宽度阻碍了其在光催化方面的应用,所以想要提高光催化反应活性,减小In2O3的禁带宽度显得十分必要.研究表明,N的掺入能够有效减小In203的带隙,过渡金属阳离子掺杂可以降低导带的 ... 掺杂氧化铟的制备及其光催化制氧性能研究 - 百度学术摘要： In2O3作为优秀的半导体材料在光催化领域,例如在光催化水产氢,产氧反应中具有良好的应用.但是由于In203较大的禁带宽度阻碍了其在光催化方面的应用,所以想要提高光催化反应活性,减小In2O3的禁带宽度显得十分必要.研究表明,N的掺入能够有效减小In203的带隙,过渡金属阳离子掺杂可以降低导带的 ...
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2024年6月6日 三氧化二铬亦称氧化铬、氧化铬绿、铬绿，为暗绿色结晶粉末，有金属光泽，属于六方晶系或三方晶系，和α-氧化铝是同一种晶型。化学式Cr2O3，分子量151.99，相对密度5.21 (21℃)，莫氏硬度为9，比石英、钢还硬，熔点2266±25℃，沸点3000℃以上 ... 三氧化二铬 CAS#: 1308-38-92024年6月6日 三氧化二铬亦称氧化铬、氧化铬绿、铬绿，为暗绿色结晶粉末，有金属光泽，属于六方晶系或三方晶系，和α-氧化铝是同一种晶型。化学式Cr2O3，分子量151.99，相对密度5.21 (21℃)，莫氏硬度为9，比石英、钢还硬，熔点2266±25℃，沸点3000℃以上 ...
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2018年12月28日 本发明涉及一种禁带宽度可调的铬掺杂锡酸钡纳米多孔薄膜及制备方法，所述纳米多孔薄膜通过将由铬掺杂锡酸钡纳米颗粒和有机溶剂混合得到的前驱胶体溶液涂覆在衬底上后经热处理而得到，所述铬掺杂锡酸钡纳米多孔薄膜的无机成分为BaSn1‑xCrxO3，其中0≤x≤0.5。 一种禁带宽度可调的铬掺杂锡酸钡纳米多孔薄膜及制备方法 ...2018年12月28日 本发明涉及一种禁带宽度可调的铬掺杂锡酸钡纳米多孔薄膜及制备方法，所述纳米多孔薄膜通过将由铬掺杂锡酸钡纳米颗粒和有机溶剂混合得到的前驱胶体溶液涂覆在衬底上后经热处理而得到，所述铬掺杂锡酸钡纳米多孔薄膜的无机成分为BaSn1‑xCrxO3，其中0≤x≤0.5。
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2017年6月2日 电子和具有氧化性的空穴，把吸附在催化剂表面的有机物大分子降解为CO 2 和小分子有机物。近年来，光催化材料研究的热门是TiO 2、WO 3。TiO 2 的禁带宽度为3.2 eV比较大，激发的波长在紫外光范围内，对可见光的转化效率较低；WO 3 的禁带宽度较窄在2. Review on Preparation and Application of WO3 2017年6月2日 电子和具有氧化性的空穴，把吸附在催化剂表面的有机物大分子降解为CO 2 和小分子有机物。近年来，光催化材料研究的热门是TiO 2、WO 3。TiO 2 的禁带宽度为3.2 eV比较大，激发的波长在紫外光范围内，对可见光的转化效率较低；WO 3 的禁带宽度较窄在2.
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在有机合成工业中用作触媒和氧化剂。3.一种重要的铬化合物，铬酐是电镀工业的最主要原料，用作电镀铬的主要原料。大部分铬酐消费在电镀工业中。铬酐是良好的氧化剂，可用于漂白、精制，还可用作染料的原料、媒染剂 、鞣革剂 以及有机合成反应的催化剂。 三氧化铬 Chromium(VI) oxide - 物竞化学品数据库在有机合成工业中用作触媒和氧化剂。3.一种重要的铬化合物，铬酐是电镀工业的最主要原料，用作电镀铬的主要原料。大部分铬酐消费在电镀工业中。铬酐是良好的氧化剂，可用于漂白、精制，还可用作染料的原料、媒染剂 、鞣革剂 以及有机合成反应的催化剂。
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摘要：. 三氧化钼 (Mo O_3)具有较大的禁带宽度 (>3 e V)和较高的功函数 (~6.9 e V),其层状相α-Mo O_3性质稳定,并且光电性质容易被外部插入的离子所调控,因此被广泛应用在光致变色,电致变色和太阳. 关键词：. 氧化钼 缺陷 光吸收 扫描探针显微镜 宽光谱. 会议名称 ... 层状氧化钼材料的光电性质研究 - 百度学术摘要：. 三氧化钼 (Mo O_3)具有较大的禁带宽度 (>3 e V)和较高的功函数 (~6.9 e V),其层状相α-Mo O_3性质稳定,并且光电性质容易被外部插入的离子所调控,因此被广泛应用在光致变色,电致变色和太阳. 关键词：. 氧化钼 缺陷 光吸收 扫描探针显微镜 宽光谱. 会议名称 ...
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2020年11月25日 In this work, Fe3S4/Bi2S3 magnetic photocatalytic material was synthesized by one-step solvothermal method to improve the Cr(VI) photoreduction performance. The synthesized samples were analyzed by powder X-ray diffraction and physical adsorption apparatus. It was found that the content of Fe3S4 in Fe3S4/Bi2S3 磁性材料Fe3S4/Bi2S3的合成及其对水体中六价 铬的光催化 ...2020年11月25日 In this work, Fe3S4/Bi2S3 magnetic photocatalytic material was synthesized by one-step solvothermal method to improve the Cr(VI) photoreduction performance. The synthesized samples were analyzed by powder X-ray diffraction and physical adsorption apparatus. It was found that the content of Fe3S4 in Fe3S4/Bi2S3
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